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IXTH 12N90
IXTM 12N90
10
Fig.7 Gate Charge Characteristic Curve
V DS = 450V
Fig.8 Forward Bias Safe Operating Area
10μs
8
I D = 13A
I G = 10mA
10 Limited by R DS(on)
100μs
6
1ms
4
1
10ms
2
0
0.1
100ms
0
25
50
75
100
125
150
1
10
100
1000
4500
Gate Charge - nCoulombs
Fig.9 Capacitance Curves
18
V DS - Volts
Fig.10 Source Current vs. Source
to Drain Voltage
4000
3500
3000
2500
C iss
f = 1 MHz
V DS = 25V
16
14
12
10
2000
1500
8
6
T J = 125°C
1000
500
0
C oss
C rss
4
2
0
T J = 25°C
0
5
10
15
20
25
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1
V CE - Volts
Fig.11 Transient Thermal Impedance
D=0.5
V SD - Volts
0.1
D=0.2
D=0.1
D=0.05
0.01 D=0.02
D=0.01
Single Pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
? 2000 IXYS All rights reserved
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